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    格芯推出基于22FDX平台且可批量生产的eMRAM

    格芯推出基于22FDX平台且可批量生产的eMRAM

    格芯昨日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。格芯正在接洽多家客户,计划2020年安排多次生产流片。此次公告是一个重要的行业里程碑,表明eMRAM可在物联网(IoT)、通用微控制器、汽车、终端人工智能和其他低功耗应用中作为先进工艺节点的高性价比选择。 格芯的eMRAM产品旨在替代高容量嵌入式NOR闪存(eFlash),帮助设计人员扩展现有物联网……

    UFS 3.1规范发布:新增3大功能,更接近SSD特性

    UFS 3.1规范发布:新增3大功能,更接近SSD特性

    JEDEC发布了UFS 3.1规范,包含了一些新技术,进一步提高写入速度,还有深度睡眠功能、成本削减、可靠性等,使得UFS存储设备在功能上更接近SSD,大幅度改善用户体验。 据悉,符合UFS 3.1标准新版本的规范支持三个新特性:写入增强器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)和性能调整通知(Performance Throttling Notification)。 写入增强(Write Booster)旨在通过使用伪SLC缓存来提高……

    DRAM也将走向3D堆叠?传SK海力士获DBI Ultra 3D互连技术的转让

    DRAM也将走向3D堆叠?传SK海力士获DBI Ultra 3D互连技术的转让

    据外媒报道,SK海力士已经与Xperi Corp旗下子公司Invensas签订新的专利与技术授权协议。该协议内容为SK海力士将获得Xperi广泛的半导体知识产权以及Invensas DBI Ultra 3D互连技术的转让。 报道称,DBI Ultra 3D互连技术是die-to-wafer混合互联技术,可以制造8、12甚至16层高的芯片堆叠,满足下一代高性能计算对封装高度和性能的苛刻要求。此外,它还将开拓同质和异质3D封装的先河,有可……